Datasheet > W26B04H-70LI

W26B04H-70LI

更新时间： 2024-11-10 19:49:19

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	223K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

W26B04H-70LI 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e3
长度：	18.41 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最小待机电流：	1.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

W26B04H-70LI 数据手册

W26B04

´ 16 CMOS STATIC RAM

256K

GENERAL DESCRIPTION

The W26B04 is a normal speed, very low-power CMOS static RAM organized as 262144

16 bits

that operates on a wide voltage range from 2.7V to 3.6V power supply. The W26B04, W26B04-LE and

W26B04-LI, can meet the requirement of various operating temperature. This device is manufactured

using Winbond’ s high performance CMOS technology.

FEATURES

· Low power consumption

· Access time: 70 nS

· 2.7V to 3.6V supply voltage

· Fully static operation

· All inputs and outputs directly TTL compatible

· Three-state outputs

· Battery back-up operation capability

· Data retention voltage: 1.5V (min.)

· Data byte control

#LB (I/O1- I/O8), #UB (I/O9 - I/O16)

· Available packages: 44-pin type two TSOP,

and TFBGA

PIN CONFIGURATIONS

BLOCK DIAGRAM

PRECHARGE CKT.

CLK GEN.

#CS

I/O1

I/O2

I/O3

A15

A14

A16

CORE CELL ARRAY

1024 ROWS

#OE

#UB

#LB

I/O1

256 X 16 COLUMNS

A17

I/O1

A13

I/O4

I/O1

I/O16

I/O CKT.

COLUMN DECODER

DATA

CNTRL.

V_SS

VDD

V_DD

CLK

GEN.

I/O5

I/O6

I/O1

44-pin

TSOP

A7 A6 A5

A9 A10 A11 A12

#WE

I/O1

I/O7

I/O8

#WE

A17

A16

A15

I/O1

#CS

#UB

I/O

#LB

#OE

A10

A11

A14

A13

A12

PIN DESCRIPTION

SYMBOL

DESCRIPTION

48-pin TFBGA TOP VIEW

Address Inputs

Data Inputs/Outputs

A0 - A17

I/O1 - I/O16

#CS

Chip Select Input

Write Enable Input

Lower byte select

Upper byte select

Output Enable Input

Power Supply

#LB

I/O9

I/O10

VSS

V_DD

#OE

#UB

I/O11

I/O12

I/O13

A17

A14

#WE

I/O1

I/O3

V_DD

#CS

I/O2

I/O4

I/O5

I/O6

#WE

#LB

A16

#UB

#OE

I/O15

I/O7

I/O8

I/O14

A15

A13

A10

I/O16

A12

VDD

A11

VSS

Ground

No Connection

Publication Release Date: April 2, 2002

Revision A4

- 1 -

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与W26B04H-70LI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W26L010A	WINBOND	获取价格	64K X 16 High Speed CMOS Static RAM
W26L010A-10	WINBOND	获取价格	64K X 16 High Speed CMOS Static RAM
W26L010A-12	WINBOND	获取价格	64K X 16 High Speed CMOS Static RAM
W26L010AJ-10	WINBOND	获取价格	64K X 16 High Speed CMOS Static RAM
W26L010AJ-12	WINBOND	获取价格	64K X 16 High Speed CMOS Static RAM
W26L010AT-10	WINBOND	获取价格	64K X 16 High Speed CMOS Static RAM
W26L010AT-12	WINBOND	获取价格	64K X 16 High Speed CMOS Static RAM
W26L04AH-10I	WINBOND	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
W26L04AH-12	WINBOND	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
W26L04AJ-10	WINBOND	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44

与W26B04H-70LI相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

24
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

24
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

50
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W26B04H-70LI

W26B04H-70LI 技术参数

W26B04H-70LI 数据手册

与W26B04H-70LI相关器件

与W26B04H-70LI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W26B04H-70LI

W26B04H-70LI 技术参数

W26B04H-70LI 数据手册

与W26B04H-70LI相关器件

与W26B04H-70LI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？