5秒后页面跳转
W25Q128JVPIM PDF预览

W25Q128JVPIM

更新时间: 2024-11-09 19:48:11
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
101页 1916K
描述
Flash, 16MX8, PDSO8, WSON-8

W25Q128JVPIM 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:HVSON,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:1.72
其他特性:IT ALSO OPERATES AT 104 MHZ CLOCK FREQUENCY AT 2.7 TO 3.0 V SUPPLY VOLTAGE备用内存宽度:1
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzJESD-30 代码:R-PDSO-N8
长度:6 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:16MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:HVSON
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
编程电压:3 V座面最大高度:0.8 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:5 mmBase Number Matches:1

W25Q128JVPIM 数据手册

 浏览型号W25Q128JVPIM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号W25Q128JVPIM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号W25Q128JVPIM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号W25Q128JVPIM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号W25Q128JVPIM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号W25Q128JVPIM的Datasheet PDF文件第7页 
W25Q128JV-DTR  
3V 128M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL/QUAD SPI & QPI & DTR  
Publication Release Date: November 4, 2016  
-Revision B  

与W25Q128JVPIM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
W25Q128JVPIQ WINBOND

获取价格

Flash, 16MX8, PDSO8, WSON-8
W25Q128JVPJQ WINBOND

获取价格

3V 128M-bit serial flash memory with dual/quad spi
W25Q128JVSIM WINBOND

获取价格

Flash, 16MX8, PDSO8, SOIC-8
W25Q128JVSIQ WINBOND

获取价格

3V 128M-bit serial flash memory with dual/quad spi
W25Q128JVSIQTR WINBOND

获取价格

Flash, 16MX8, PDSO8, SOIC-8
W25Q128JVSJQ WINBOND

获取价格

3V 128M-bit serial flash memory with dual/quad spi
W25Q128JVYIQ WINBOND

获取价格

3V 128M-bit serial flash memory with dual/quad spi
W25Q128NDBYIQ WINBOND

获取价格

Flash Memory,
W25Q128NDSFIG WINBOND

获取价格

Flash Memory,
W25Q128NDSFIQ WINBOND

获取价格

Flash Memory,