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W25Q128JVSIQTR

更新时间: 2024-11-09 21:13:47
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
74页 2102K
描述
Flash, 16MX8, PDSO8, SOIC-8

W25Q128JVSIQTR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP,Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.7其他特性:IT ALSO OPERATES AT 104MHZ CLOCK FREQ
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzJESD-30 代码:S-PDSO-G8
长度:5.23 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:16MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
编程电压:3 V座面最大高度:2.16 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NOR TYPE宽度:5.23 mm
Base Number Matches:1

W25Q128JVSIQTR 数据手册

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W25Q128JV  
3V 128M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL/QUAD SPI  
Publication Release Date: November 16, 2016  
Revision C  

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