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W25Q16BVSNIG

更新时间: 2024-09-19 08:09:03
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 闪存内存集成电路光电二极管时钟
页数 文件大小 规格书
68页 1975K
描述
16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI

W25Q16BVSNIG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.69
最大时钟频率 (fCLK):80 MHz数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G8
长度:4.9 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.018 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED类型:NOR TYPE
宽度:3.9 mm写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1

W25Q16BVSNIG 数据手册

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W25Q16BV  
16M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL AND QUAD SPI  
Publication Release Date: July 08, 2010  
Revision F  
- 1 -  

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