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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XUPF-D4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.57 |
| 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C | 应用： | FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | COMMON ANODE, 3 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.8 V | JESD-30 代码： | O-XUPF-D4 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 150 A |
| 元件数量： | 3 | 相数： | 3 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 12.5 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | PRESS FIT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VYD100XS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 3 Element, 12.5A, 100V V(RRM), Silicon, |
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| VYD100XT | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| VYD200X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 3 Element, 12.5A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| VYD200XS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 3 Element, 12.5A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| VYD200XT | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 3 Element, 12.5A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| VYD400X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 3 Element, 12.5A, 400V V(RRM), Silicon, |
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| VYD400XS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 3 Element, 12.5A, 400V V(RRM), Silicon, |
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| VYD400XT | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 3 Element, 12.5A, 400V V(RRM), Silicon, |
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| VYH100X | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 100V V(RRM), Silicon, |
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| VYH200X | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 200V V(RRM), Silicon, |
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