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VYH200X

更新时间: 2024-11-08 21:16:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 112K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 200V V(RRM), Silicon,

VYH200X 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:X-XUFM-D8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.54
Is Samacsys:N其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.8 VJESD-30 代码:X-XUFM-D8
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:150 A
元件数量:4相数:1
端子数量:8最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:25 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.2 µs子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

VYH200X 数据手册

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