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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.57 | 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.8 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-D4 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 150 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 12.5 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向恢复时间： | 0.2 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VYA200X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| VYA400X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 400V V(RRM), Silicon, |
|
| VYA400XS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 400V V(RRM), Silicon, |
|
| VYB100X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 100V V(RRM), Silicon, |
|
| VYB100XS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 100V V(RRM), Silicon, |
|
| VYB100XT | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 100V V(RRM), Silicon, |
|
| VYB10W | CUI |
获取价格 |
DC-DC CONVERTER |
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| VYB10W-Q24-D12 | CUI |
获取价格 |
CONVERTER DC/DC 10W +/-12V 416MA |
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| VYB10W-Q24-D12-T | CUI |
获取价格 |
CONVERTER DC/DC 10W +/-12V 416MA |
|
| VYB10W-Q24-D15 | CUI |
获取价格 |
CONVERTER DC/DC 10W +/-15V 333MA |
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