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VYB100XT

更新时间: 2024-11-18 15:57:51
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美高森美 - MICROSEMI 快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 112K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 100V V(RRM), Silicon,

VYB100XT 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-XUFM-D4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.57
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C应用:FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.8 VJESD-30 代码:O-XUFM-D4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:150 A
元件数量:2相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:12.5 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.2 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

VYB100XT 数据手册

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