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VVZ24-16IO1 PDF预览

VVZ24-16IO1

更新时间： 2024-11-04 21:55:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
3页 145K
描述
Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge

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VVZ24-16IO1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.8其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE
最大直流栅极触发电流：65 mA最大直流栅极触发电压：1 V
快速连接描述：0螺丝端子的描述：0
最大维持电流：100 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X8
JESD-609代码：e4最大漏电流：0.3 mA
通态非重复峰值电流：330 A元件数量：3
端子数量：8最大通态电流：21000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：16 A
断态重复峰值电压：1600 V重复峰值反向电压：1600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：SILVER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

VVZ24-16IO1 数据手册

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VVZ 24  
IdAVM = 27 A  
VRRM = 1200-1600 V  
Three Phase Half Controlled  
Rectifier Bridge  
1
6
3
4
2
3
2
8
1
VRSM  
VDSM  
VRRM  
VDRM  
Type  
7
6
5
5
7
4
V
V
1300  
1500  
1700  
1200  
1400  
1600  
VVZ 24-12io1  
VVZ 24-14io1  
VVZ 24-16io1  
8
Features  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
●
Package with DCB ceramic base plate  
Isolation voltage 3600 V~  
Planar passivated chips  
Soldering terminals  
IdAV  
IdAVM  
IFRMS, ITRMS  
TK = 100°C; module  
module  
per leg  
21  
27  
16  
A
A
A
●
●
●
●
IFSM, ITSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
300  
320  
A
A
UL registered E 72873  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
270  
290  
A
A
Applications  
●
Input rectifier for switch mode power  
I2t  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
450  
430  
A2s  
A2s  
supplies (SMPS)  
Softstart capacitor charging  
Electric drives and auxiliaries  
●
●
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
365  
350  
A2s  
A2s  
Advantages  
(di/dt)cr  
TVJ = TVJM  
repetitive, IT = 50 A  
150  
A/ms  
●
Easy to mount with two screws  
Space and weight savings  
Improved temperature and power  
cycling  
f =400 Hz, tP =200 ms  
VD = 2/3 VDRM  
IG = 0.3 A,  
●
●
non repetitive, IT = 1/3 • IdAV  
500  
1000  
10  
A/ms  
V/ms  
V
diG/dt = 0.3 A/ms  
(dv/dt)cr  
TVJ = TVJM; VDR = 2/3 VDRM  
RGK = ¥; method 1 (linear voltage rise)  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
VRGM  
PGM  
TVJ = TVJM  
IT = ITAVM  
tp = 30 ms  
tp = 500 ms  
tp = 10 ms  
£
£
£
10  
5
1
W
W
W
W
PGAVM  
0.5  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+125  
125  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
t = 1 min  
t = 1 s  
3000  
3600  
V~  
V~  
IISOL £ 1 mA  
Md  
Mounting torque  
typ.  
(M5)  
(10-32 UNF)  
2-2.5  
18-22  
28  
Nm  
lb.in.  
g
Weight  
Data according to IEC 60747 and refer to a single thyristor/diode unless otherwise stated.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2003 IXYS All rights reserved  
1 - 3  
123

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VVZ24-16IO1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VVZ40-16IO1 IXYS

完全替代

 Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VVZ39-08HO7 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25.12A I(T)RMS, 16000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 3 El
VVZ39-08HO7 LITTELFUSE

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 		三相桥半控和全控系列提供各种封装和高达2200V的击穿电压。
VVZ39-12HO7 LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 25.12A I(T)RMS, 16000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 3
VVZ40 IXYS

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 		Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge
VVZ40-12GO1 IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 40000mA I(T), 1200V V(RRM), 3 Element
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