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VVZB120-12IO2(T) PDF预览

VVZB120-12IO2(T)

更新时间： 2024-11-05 15:57:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网栅双极性晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
4页 88K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 77A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 3 Element,

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VVZB120-12IO2(T) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.71外壳连接：ISOLATED
配置：3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE WITH BUILT-IN IGBT, DIODE AND THERMISTOR最大直流栅极触发电流：100 mA
JESD-30 代码：R-XUFM-X13JESD-609代码：e4
元件数量：3端子数量：13
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：77 A
重复峰值反向电压：1200 V表面贴装：NO
端子面层：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

VVZB120-12IO2(T) 数据手册

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VVZB 120  
VRRM = 1200/1600 V  
IdAV = 120 A  
Three Phase Half Controlled  
Rectifier Bridge  
with IGBT and Fast Recovery Diode  
for Braking System  
Preliminary data  
VRRM  
Type  
V
1200  
1600  
VVZB 120-12 io2(T)  
VVZB 120-16 io2(T)  
(T) = NTC optional  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
• Soldering connections for PCB  
mounting  
IdAV  
IFRMS/ITRMS  
Tcase= 80°C, sinusoidal 120°  
Tcase= 80°C, per leg  
120  
77  
A
A
• Isolation voltage 3600 V~  
• Ultrafast freewheel diode  
• Convenient package outline  
• Optional NTC  
IFSM/ITSM  
TVJ = 25°C,  
TVJ = 150°C,  
t = 10 ms, VR = 0 V  
t = 10 ms, VR = 0 V  
750  
670  
A
A
I2t  
TVJ = 25°C,  
TVJ = 150°C,  
t = 10 ms, VR = 0 V  
t = 10 ms, VR = 0V  
2810  
2240  
A
A
Applications  
(di/dt)cr  
TVJ = TVJM  
f = 50 Hz, tP = 200 µs  
repetitive, IT = 150 A  
150  
A/µs  
• Drive Inverters with brake system  
VD = 2/3 VDRM  
IG = 0.45 A,  
diG/dt = 0.45 A/µs  
Advantages  
non repetitive, IT = Id(AV) /3  
500  
A/µs  
V/µs  
• 2 functions in one package  
• No external isolation  
• Easy to mount with two screws  
• Suitable for wave soldering  
• High temperature and power cycling  
capability  
(dv/dt)cr  
PGM  
TVJ = TVJM; VDR = 2/3 VDRM  
RGK = ∞; method 1 (linear voltage rise)  
1000  
TVJ = TVJM  
IT = Id(AV) /3  
tP = 30 µs  
tP = 300 µs  
tP = 10 ms  
10  
5
1
W
W
W
PGAVM  
0.5  
W
VCES  
VGE  
TVJ = 25°C to 150°C  
Continuous  
1200  
20  
V
V
IC25  
IC80  
ICM  
Tcase = 25°C, DC  
Tcase = 80°C, DC  
140  
100  
280  
A
A
A
tp = Pulse width limited by TVJM  
Tcase = 80°C  
Ptot  
570  
W
V
VRRM  
1200  
IF(AV)  
IF(RMS)  
IFRM  
Tcase = 80°C, rectangular d = 0.5  
Tcase = 80°C, rectangular d = 0.5  
Tcase = 80°C, tP = 10 µs, f = 5 kHz  
27  
38  
tbd  
A
A
A
IFSM  
TVJ = 45°C,  
TVJ = 150°C,  
t = 10 ms  
t = 10 ms  
200  
180  
A
A
Ptot  
Tcase = 80°C  
64  
W
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2006 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
1234

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