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VVZB120-16IO2

更新时间： 2024-11-05 15:57:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅双极性晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
3页 85K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 77A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 3 Element, MODULE-11

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VVZB120-16IO2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MODULE包装说明：MODULE-11
针数：11Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.71
外壳连接：ISOLATED配置：3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE WITH BUILT-IN IGBT, DIODE
最大直流栅极触发电流：100 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X11
JESD-609代码：e4元件数量：3
端子数量：11最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：77 A断态重复峰值电压：1600 V
重复峰值反向电压：1600 V表面贴装：NO
端子面层：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

VVZB120-16IO2 数据手册

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VVZB 120  
VRRM = 1200/1600 V  
IdAV = 120 A  
Three Phase Half Controlled  
Rectifier Bridge  
with IGBT and Fast Recovery Diode  
for Braking System  
Preliminary data  
VRRM  
Type  
V
1200  
1600  
VVZB 120-12 io2(T)  
VVZB 120-16 io2(T)  
(T) = NTC optional  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
• Soldering connections for PCB  
mounting  
IdAV  
IFRMS/ITRMS  
Tcase= 80°C, sinusoidal 120°  
Tcase= 80°C, per leg  
120  
77  
A
A
• Isolation voltage 3600 V~  
• Ultrafast freewheel diode  
• Convenient package outline  
• Optional NTC  
IFSM/ITSM  
TVJ = 25°C,t = 10 ms, VR = 0 V  
TVJ = 150°C,t = 10 ms, VR = 0 V  
750  
670  
A
A
I2t  
TVJ = 25°C,t = 10 ms, VR = 0 V  
TVJ = 150°C,t = 10 ms, VR = 0V  
2810  
2240  
A
A
Applications  
(di/dt)cr  
TVJ = TVJM  
f = 50 Hz, tP = 200 µs  
repetitive, IT = 150 A  
150  
A/µs  
• Drive Inverters with brake system  
VD = 2/3 VDRM  
IG = 0.45 A,  
diG/dt = 0.45 A/µs  
Advantages  
non repetitive, IT = Id(AV)/3  
500  
A/µs  
V/µs  
• 2 functions in one package  
• No external isolation  
• Easy to mount with two screws  
• Suitable for wave soldering  
• High temperature and power cycling  
capability  
(dv/dt)cr  
PGM  
TVJ = TVJM; VDR = 2/3 VDRM  
RGK = ∞; method 1 (linear voltage rise)  
1000  
TVJ = TVJM  
IT = Id(AV)/3  
tP = 30 µs  
tP = 300 µs  
tP = 10 ms  
10  
5
1
W
W
W
PGAVM  
0.5  
W
VCES  
VGE  
TVJ = 25°C to 150°C  
Continuous  
1200  
20  
V
V
IC25  
IC80  
ICM  
Tcase = 25°C, DC  
140  
100  
280  
A
A
A
Tcase = 80°C, DC  
tp = Pulse width limited by TVJM  
Ptot  
Tcase = 80°C  
570  
W
V
VRRM  
1200  
IF(AV)  
IF(RMS)  
IFRM  
Tcase = 80°C, rectangular d = 0.5  
Tcase = 80°C, rectangular d = 0.5  
Tcase = 80°C, tP = 10 µs, f = 5 kHz  
27  
38  
tbd  
A
A
A
IFSM  
TVJ = 45°C, t = 10 ms  
TVJ = 150°C,t = 10 ms  
200  
180  
A
A
Ptot  
Tcase = 80°C  
64  
W
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2004 IXYS All rights reserved  
1 - 3  
123

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与VVZB120-16IO2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VVZB120-16IO2(T) LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 77A I(T)RMS, 1600V V(RRM), 3 Element,
VVZB120-16IOX IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 120000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 3 Element, V2-PAC
VVZB120-16IOX LITTELFUSE

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 		三相桥加制动装置系列配有各种功率等级的IGBT和续流二极管。
VVZB120-18IO1 ETC

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 		THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|120A I(T)
VVZB135 IXYS

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 		Three Phase Rectifier Bridge with IGBT and Fast Recovery Diode for Braking System
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 		Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(RRM), 3 Element, ROHS COMPLIANT MODULE-22
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