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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> VVZB135-16NO1
VVZB135-16NO1 PDF预览

VVZB135-16NO1

更新时间： 2024-11-05 12:01:23
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极三相整流桥触发装置可控硅整流器二极管快恢复二极管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 272K
描述
Three Phase Rectifier Bridge with IGBT and Fast Recovery Diode for Braking System

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VVZB135-16NO1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：MODULE包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X22
针数：22Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.68Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE WITH BUILT-IN IGBT, DIODE AND THERMISTOR最大直流栅极触发电流：78 mA
JESD-30 代码：R-XUFM-X22元件数量：3
端子数量：22最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：211.95 A重复峰值反向电压：1600 V
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

VVZB135-16NO1 数据手册

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VVZB 135  
VRRM = 1600 V  
Three Phase Rectifier Bridge  
with IGBT and Fast Recovery Diode  
for Braking System  
IdAVM = 135 A  
10  
19  
+
+
11 13  
12 20  
16 15 14  
NTC  
VRRM  
Type  
V
6+7  
4+5  
2+3  
1
1600  
VVZB 135-16 NO1  
17  
E72873  
8+9  
18 21+22  
See outline drawing for pin arrangement  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Ftures  
• SoleringconnectionsforPCBmounting  
• Convenient package outline  
• Thermistor  
VRRM  
IdAVM  
1600  
135  
V
A
TC = 85°C; sinusoidal 120°  
IFSM  
TVJ = 45°C; t = 10 ms; VR = 0 V  
TVJ = 150°C; t = 10 ms; VR = 0 V  
700  
610  
A
• Isolation voltage 2500 V~  
Applications  
I2t  
TVJ = 45°C; t = 10 ms; VR = 0 V  
TVJ = 150°C; t = 10 ms; VR = 0 V  
245
1860  
A2s  
A2s  
• Drive Inverters with brake system  
Ptot  
TC = 25°C per diode  
190  
100  
W
Advantages  
(di/dt)cr  
TVJ = TVJM  
;
repetitive; IT = 150 A  
A/µs  
• 2 functions in one package  
• Easy to mount with two screws  
• Suitable for wave soldering  
• High temperature and power cycling  
capability  
f = 50 Hz; tP = 200 µs  
VD = 2/3 VDRM  
IG = 0.45 A;  
;
non repetitive; IT = Id(AV)3  
500  
A/µs  
V/µs  
diG/dt = 0.45 A/µs  
(dv/dt)cr  
PGM  
TVJ = TVJM; VDR = 2/3 VDRM  
RGK = ∞; method 1 (linear voltage rse)  
;
1000  
TVJ = TVJM tP = 30 
;
10  
5
W
W
IT = Id(AV)/3; tP = 300 µs  
PGAVM  
0.5  
W
Recommended replacement:  
VVZB 135-16ioXT  
VCES  
VGE  
TVJ = 25°C to 150
Continuous  
1200  
20  
V
V
IC25  
IC80  
TC = 25°C; DC  
TC = 80°C; DC  
95  
67  
A
A
ICM  
tp = Pulse width limited by TVJM  
TC = 25°C  
100  
380  
A
Ptot  
W
VRRM  
IFAV  
IFRMS  
IFRM  
1200  
27  
38  
tbd  
V
A
A
A
TC = 80°C; rectangular d = 0.5  
TC = 80°C; rectangular d = 0.5  
TC = 80°C; tP = 10 µs; f = 5 kHz  
IFSM  
Ptot  
TVJ = 45°C; t = 10 ms  
TC = 25°C  
200  
130  
A
W
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
20070912a  
© 2007 IXYS All rights reserved  
1 - 5  
12345

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与VVZB135-16NO1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VVZB170-16IOXT IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(RRM), 3 Element, MODULE-22
VVZB170-16IOXT LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(RRM), 3 Element, MODULE-22
VVZB170-16NO1 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 3 Element, MODULE-22
VVZF70 IXYS

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