5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VT3080C-E3/4W
VT3080C-E3/4W PDF预览

VT3080C-E3/4W

更新时间： 2024-09-09 12:20:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
5页 148K
描述
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

VT3080C-E3/4W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.68
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：80 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VT3080C-E3/4W 数据手册

 浏览型号VT3080C-E3/4W的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VT3080C-E3/4W的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VT3080C-E3/4W的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VT3080C-E3/4W的Datasheet PDF文件第5页 
New Product  
VT3080C, VFT3080C, VBT3080C, VIT3080C  
Vishay General Semiconductor  
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per  
JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and  
TO-262AA package)  
3
3
2
2
1
1
VT3080C  
VFT3080C  
TO-262AA  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
PIN 2  
CASE  
TO-263AB  
TYPICAL APPLICATIONS  
K
K
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
2
3
1
2
1
MECHANICAL DATA  
VBT3080C  
VIT3080C  
Case:  
TO-262AA  
TO-220AB,  
ITO-220AB,  
TO-263AB  
and  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
K
HEATSINK  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
IF(AV)  
2 x 15 A  
VRRM  
80 V  
150 A  
0.65 V  
150 °C  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: As marked  
IFSM  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
VF at IF = 15 A  
TJ max.  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL VT3080C VFT3080C VBT3080C VIT3080C UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
80  
30  
15  
V
per device  
per diode  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
EAS  
150  
160  
1.0  
A
mJ  
A
Non-repetitive avalanche energy at TJ = 25 °C, L = 60 mH  
Peak repetitive reverse current at tp = 2 µs, 1 kHz,  
TJ = 38 °C 2 °C per diode  
IRRM  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Document Number: 89168  
Revision: 08-Sep-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
12345

中文翻译

下载PDF

与VT3080C-E3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VT3080CHM3/4W VISHAY

获取价格

 		DIODE 15 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VT3080CHM3-4W VISHAY

获取价格

 		Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT3080C-M3/4W VISHAY

获取价格

 		DIODE 15 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VT3080C-M3-4W VISHAY

获取价格

 		Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT3080S VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT3080S_12 VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT3080S-E3/4W VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT3080SHM3/4W VISHAY

获取价格

 		DIODE 30 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VT3080SHM3-4W VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT3080S-M3/4W VISHAY

获取价格

 		DIODE 30 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA

与VT3080C-E3/4W相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证