生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.58 |
其他特性: | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS | 应用: | EFFICIENCY |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
最大非重复峰值正向电流: | 170 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 15 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 60 V | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VT3060C-M3-4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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VT3060G | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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VT3060G_12 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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VT3060G-E3/4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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VT3060GHM3/4W | VISHAY |
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DIODE 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA |
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VT3060GHM3-4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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VT3060G-M3/4W | VISHAY |
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DIODE 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA |
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VT3060G-M3-4W | VISHAY |
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VT3080C | VISHAY |
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VT3080C_12 | VISHAY |
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