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VSKK250-16PBF PDF预览

VSKK250-16PBF

更新时间： 2024-09-20 20:36:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
11页 240K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 250000mA I(T), 1600V V(RRM), ROHS COMPLIANT PACKAGE-5

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VSKK250-16PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数：5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.68最大直流栅极触发电流：100 mA
最大直流栅极触发电压：2 V快速连接描述：G-GR
螺丝端子的描述：2A-CK最大维持电流：500 mA
JESD-30 代码：R-XUFM-X5最大漏电流：50 mA
通态非重复峰值电流：7500 A端子数量：5
最大通态电流：250000 A最高工作温度：130 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
重复峰值反向电压：1600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

VSKK250-16PBF 数据手册

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VSK.170PbF, .250PbF Series  
Vishay High Power Products  
SCR/SCR and SCR/Diode  
(MAGN-A-PAKTM Power Modules), 170/250 A  
FEATURES  
• High voltage  
• Electrically isolated base plate  
• 3500 VRMS isolating voltage  
• Industrial standard package  
• Simplified mechanical designs, rapid assembly  
• High surge capability  
RoHS  
COMPLIANT  
• Large creepage distances  
• Lead (Pb)-free  
• Designed and qualified for industrial level  
DESCRIPTION  
MAGN-A-PAKTM  
This new VSK series of MAGN-A-PAKTM modules uses high  
voltage power thyristor/thyristor and thyristor/diode in seven  
basic configurations. The semiconductors are electrically  
isolated from the metal base, allowing common heatsinks  
and compact assemblies to be built. They can be  
interconnected to form single phase or three phase bridges  
or as AC-switches when modules are connected in  
anti-parallel mode. These modules are intended for general  
purpose applications such as battery chargers, welders,  
motor drives, UPS, etc.  
PRODUCT SUMMARY  
IT(AV)  
170/250 A  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VSK.170..  
VSK.250..  
250  
UNITS  
IT(AV)  
85 °C  
170  
IT(RMS)  
377  
555  
A
50 Hz  
60 Hz  
50 Hz  
60 Hz  
5100  
5350  
131  
8500  
8900  
361  
ITSM  
I2t  
kA2s  
119  
330  
I2√t  
1310  
3610  
kA2√s  
V
V
DRM/VRRM  
Up to 1600  
- 40 to 130  
TJ  
Range  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM/VDRM, MAXIMUM REPETITIVE  
V
RSM, MAXIMUM  
I
RRM/IDRM  
VOLTAGE  
CODE  
PEAK REVERSE AND OFF-STATE  
NON-REPETITIVE PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
AT 130 °C  
MAXIMUM  
mA  
TYPE NUMBER  
BLOCKING VOLTAGE  
V
04  
08  
10  
12  
14  
16  
400  
800  
500  
900  
1000  
1200  
1400  
1600  
1100  
1300  
1500  
1700  
VSK.170-  
VSK.250-  
50  
Document Number: 94417  
Revision: 22-Apr-08  
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与VSKK250-16PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VSKKF180-08HJP VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 400A I(T)RMS, 180000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
VSKKF180-08HKP VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 400A I(T)RMS, 180000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
VSKKF180-12HJP VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 400A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
VSKKF180-12HKP VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 400A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
VSKKF200-08HKP VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
VSKKF200-12HJP VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
VSKKF200-12HKP VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
VSKL105/04 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1
VSKL105/04P VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-240AA,
VSKL105/04S90P VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 105000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Ele

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