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VSC8120

更新时间： 2024-02-23 02:02:27
品牌 Logo 应用领域
VITESSE ATM异步传输模式电信电信集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 103K
描述
Clock Recovery Circuit, 1-Func, GAAS, PQFP64, 10 X 10 MM, PLASTIC, QFP-64

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VSC8120 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFP
包装说明：FQFP, QFP64,.51SQ,20针数：64
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.44应用程序：SONET;SDH
JESD-30 代码：S-PQFP-G64JESD-609代码：e0
长度：10 mm负电源额定电压：-5.2 V
功能数量：1端子数量：64
最高工作温度：85 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FQFP
封装等效代码：QFP64,.51SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：-5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.45 mm子类别：ATM/SONET/SDH ICs
表面贴装：YES技术：GAAS
电信集成电路类型：ATM/SONET/SDH CLOCK RECOVERY CIRCUIT温度等级：OTHER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10 mm
Base Number Matches：1

VSC8120 数据手册

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VITESSE  
SEMICONDUCTOR CORPORATION  
Advance Product Information  
2.488 Gbit/sec SONET/SDH  
Clock and Recovery IC  
VSC8120  
DC Characteristics (Over recommended operating conditions).  
Table 6: Low Speed ECL Inputs and Outputs  
Parameters  
Description  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Conditions  
-1100  
—
—
-700  
-1620  
-600  
mV  
mV  
mV  
mV  
uA  
V
Output HIGH voltage  
Output LOW voltage  
Input HIGH voltage  
Input LOW voltage  
Input HIGH current  
Input LOW current  
50 ohms to V  
OH  
TT  
V
V
50 ohms to V  
OL  
TT  
TT  
-1040  
V
IH  
V
-1600  
200  
V
IL  
TT  
I
IH  
-50  
uA  
I
IL  
Table 7: Power Supply  
Parameters  
Description  
Supply voltage  
Supply voltage  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Conditions  
-5.46  
-2.1  
—
—
-4.94  
-1.9  
1.5  
V
V
VEE  
VTT  
W
P
Power dissipation  
Supply Current  
Supply Current  
Outputs open  
D
—
tbd  
mA  
mA  
I
I
Outputs open  
Outputs open  
EE  
TT  
—
tbd  
Absolute Maximum Ratings  
Power Supply Voltage, (VEE) .................................................................................................. -7V to V +0.5V  
CC  
Power Supply Voltage, (VTT) ............................................................................................................ -3V to 0.5V  
DC Input Voltage (Differential inputs) ........................................................................................-2.5V to +0.5V  
Output Current (Differential Outputs)....................................................................................................+/-50mA  
Case Temperature Under Bias ......................................................................................................-55o to +125oC  
Storage Temperature.................................................................................................................. -65oC to +150oC  
Recommended Operating Conditions  
Power Supply Voltage, (VEE) ...............................................................................................................-5.2V+5%  
Power Supply Voltage, (VTT) ...............................................................................................................-2.0V+5%  
Operating Temperature Range .........................................................0oC Ambient to +85oC Case Temperature  
Notes:  
(1) CAUTION: Stresses listed under “Absolute Maximum Ratings” may be applied to devices one at a time without causing per-  
manent damage. Functionality at or above the values listed is not implied. Exposure to these values for extended periods may  
affect device reliability.  
Page 6  
VITESSE SEMICONDUCTOR CORPORATION  
741 Calle Plano, Camarillo, CA 93012 • 805/388-3700 • FAX: 805/987-5896  
G52151-0, Rev. 2.0  
10/2/98  
1...345678910

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