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VS-ETX1506-1-M3 PDF预览

VS-ETX1506-1-M3

更新时间： 2024-12-01 19:54:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 软恢复二极管超快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 239K
描述
DIODE 15 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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VS-ETX1506-1-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-262AA
包装说明：R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.68
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：3.4 VJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：36 µA最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-ETX1506-1-M3 数据手册

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VS-ETX1506S-M3, VS-ETX1506-1-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Hyperfast Rectifier, 15 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyperfast recovery time, extremely low Qrr  
• Low forward voltage drop  
• 175 °C operating junction temperature  
• Low leakage current  
• Designed and qualified according to  
JEDEC®-JESD 47  
TO-263AB (D2PAK)  
TO-262AA  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
Base  
cathode  
2
2
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
State of the art hyperfast recovery rectifiers designed with  
optimized performance of forward voltage drop, hyperfast  
recover time, and soft recovery.  
3
1
N/C  
3
1
N/C  
Anode  
Anode  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
VS-ETX1506S-M3  
VS-ETX1506-1-M3  
These devices are intended for use in PFC Boost stage in  
the AC/DC section of SMPS, inverters or as freewheeling  
diodes.  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
IF(AV)  
15 A  
600 V  
The extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
VR  
VF at IF  
1.55 V  
18 ns  
trr (typ.)  
TJ max.  
Diode variation  
175 °C  
Single die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
600  
15  
UNITS  
Repetitive peak reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
V
IF(AV)  
TC = 127 °C  
TC = 25 °C  
A
IFSM  
120  
Operating junction and storage  
temperatures  
TJ, TStg  
-65 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 15 A  
600  
-
-
blocking voltage  
V
-
-
-
-
-
-
2.5  
1.55  
0.02  
40  
3.4  
2
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 15 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
36  
250  
-
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
12  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
Revision: 09-Jul-15  
Document Number: 93594  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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VS-ETX1506-1-M3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-ETL1506-1-M3 VISHAY

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