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VS-ETU3006STRLHM3

更新时间： 2024-12-01 19:59:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 132K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-ETU3006STRLHM3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：22 weeks
风险等级：5.44其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：30 µA最大反向恢复时间：0.045 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-ETU3006STRLHM3 数据手册

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VS-ETU3006SHM3, VS-ETU3006-1HM3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Ultrafast Rectifier, 30 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
• Ultrafast recovery time  
• 175 °C operating junction temperature  
• Low leakage current  
• AEC-Q101 qualified, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
VS-ETU3006SHM3  
VS-ETU3006-1HM3  
Base  
cathode  
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 260 °C  
2
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
3
1
3
1
Ultralow VF, soft-switching ultrafast rectifiers optimized for  
Discontinuous (Critical) Mode (DCM) Power Factor  
Correction (PFC).  
N/C  
Anode  
N/C  
Anode  
D2PAK  
TO-262  
The minimized conduction loss, optimized stored charge  
and low recovery current minimized the switching losses  
and reduce over dissipation in the switching element and  
snubbers.  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
IF(AV)  
30 A  
600 V  
The device is also intended for use as a freewheeling diode  
in power supplies and other power switching applications.  
VR  
VF at IF  
2 V  
APPLICATIONS  
trr (typ.)  
TJ max.  
Diode variation  
30 ns  
AC/DC SMPS 70 W to 400 W  
e.g. laptop and printer AC adaptors, desktop PC, TV and  
monitor, games units, and DVD AC/DC power supplies.  
175 °C  
Single die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
600  
30  
UNITS  
Repetitive peak reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
V
IF(AV)  
TC = 113 °C  
TC = 25 °C  
A
IFSM  
200  
Operating junction and storage  
temperatures  
TJ, TStg  
-65 to 175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 30 A  
600  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
1.4  
1.15  
0.02  
30  
2.0  
1.35  
30  
250  
-
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 30 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
20  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
Revision: 27-Nov-13  
Document Number: 94702  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-ETU3006STRL-M3 VISHAY

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 		DIODE 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
VS-ETU3006STRR-M3 VISHAY

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 		DIODE 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
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