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VS-EPH3006-N3

更新时间： 2024-10-30 12:27:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
11页 234K
描述
Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt

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VS-EPH3006-N3 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.76Samacsys Description：Vishay VS-EPH3006-N3, Fast Recovery Diode, 600V 30A, 70ns, 3-Pin TO-247AC Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt
其他特性：FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.65 VJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：220 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：30 µA最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-EPH3006-N3 数据手册

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New Product  
VS-APH3006-F3, VS-APH3006-N3, VS-EPH3006-F3, VS-EPH3006-N3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
• Hyperfast soft recovery time  
• 175 °C operating junction temperature  
• Designed and qualified according to  
JEDEC-JESD47  
TO-247AC  
4, 2  
TO-247AC modified  
• Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
2
1
3
1
3
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
Anode  
Cathode  
Anode  
Anode  
Hyperfast recovery rectifiers designed with optimized  
performance of forward voltage drop, hyperfast recovery  
time, and soft recovery.  
VS-APH3006-F3  
VS-APH3006-N3  
VS-EPH3006-F3  
VS-EPH3006-N3  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
PRODUCT SUMMARY  
TO-247AC,  
TO-247AC modified (2 pins)  
Package  
These devices are intended for use in PFC Boost stage in  
the AC/DC section of SMPS, inverters or as freewheeling  
diodes.  
IF(AV)  
VR  
30 A  
600 V  
The extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
VF at IF  
2.65 V  
27 ns  
t
rr typ.  
TJ max.  
175 °C  
Single die  
Diode variation  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
600  
30  
UNITS  
Repetitive peak reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
V
IF(AV)  
TC = 112 °C  
TC = 25 °C  
A
IFSM  
220  
Operating junction and storage  
temperatures  
TJ, TStg  
- 65 to 175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 30 A  
600  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
2.0  
1.4  
-
2.65  
1.8  
30  
300  
-
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 30 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
-
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
20  
8.0  
pF  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
-
nH  
Revision: 05-Apr-12  
Document Number: 93571  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...11

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