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VS-ETH0806FP-M3

更新时间： 2024-02-29 04:20:32
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 快速软恢复高电源软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网超快速软恢复高功率电源
页数 文件大小 规格书
9页 211K
描述
DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-220, FULL PACK-2, Rectifier Diode

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VS-ETH0806FP-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.87
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY HIGH POWER
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.85 VJEDEC-95代码：TO-220
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.028 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-ETH0806FP-M3 数据手册

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VS-ETH0806-M3, VS-ETH0806FP-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyperfast soft recovery time  
• Low forward voltage drop  
• 175 °C operating junction temperature  
• Low leakage current  
• Fully isolated package (VINS = 2500 VRMS  
)
2L TO-220AC  
2L TO-220 FULL-PAK  
• True 2 pin package  
Base  
cathode  
2
• Designed and qualified according to  
JEDEC®-JESD 47  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
1
3
1
2
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
Cathode  
Anode  
Cathode  
Anode  
Hyperfast recovery rectifiers designed with optimized  
performance of forward voltage drop, hyperfast recovery  
time, and soft recovery.  
VS-ETH0806-M3  
VS-ETH0806FP-M3  
PRODUCT SUMMARY  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
Package  
2L TO-220AC, 2L TO-220FP  
IF(AV)  
8 A  
600 V  
These devices are intended for use in PFC boost stage in the  
AC/DC section of SMPS, inverters or as freewheeling  
diodes.  
VR  
VF at IF  
1.3 V  
trr (typ.)  
TJ max.  
Diode variation  
16 ns  
The extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
175 °C  
Single die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
VRRM  
600  
V
TC = 146 °C  
C = 114 °C  
Average rectified forward current in  
DC  
IF(AV)  
IFSM  
8
FULL-PAK  
FULL-PAK  
T
A
Non-repetitive peak surge current  
TJ = 25 °C  
80  
16  
TC = 137 °C  
Repetitive peak surge current  
IFRM  
A
Square wave 20 kHz duty cycle (50 %)  
T
C = 96 °C  
Operating junction and storage temperatures  
TJ, TStg  
-65 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX. UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 8 A  
600  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
2.0  
1.3  
0.02  
15  
6
2.65  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 8 A, TJ = 150 °C  
1.85  
VR = VR rated  
12  
μA  
Reverse leakage current  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
100  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
-
-
pF  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8
nH  
Revision: 15-Jun-15  
Document Number: 93515  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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VS-ETH0806-M3 VISHAY DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACK

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