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VS-83CNQ100ASMPBF

更新时间： 2024-11-07 15:57:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
9页 166K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D-61-8-SM, 3 PIN

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VS-83CNQ100ASMPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：HIGH POWER配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.67 VJESD-30 代码：R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流：7000 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：40 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-83CNQ100ASMPBF 数据手册

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VS-83CNQ...APbF Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier  
Gen 3, D-61 Package, 2 x 40 A  
FEATURES  
VS-83CNQ...APbF  
• 175 °C TJ operation  
Base  
common  
cathode  
Available  
• Center tap module  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High power discrete  
Available  
1
2
3
Anode  
2
Anode  
1
Common  
cathode  
D-61-8  
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
VS-83CNQ...ASMPbF  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• New fully transfer-mold low profile, small footprint, high  
current package  
1
2
3
Anode  
2
• Through-hole versions are currently available for use in  
lead (Pb)-free applications (“PbF” suffix)  
Anode  
1
Common  
cathode  
• Designed and qualified for industrial level  
D-61-8-SM  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VS-83CNQ...ASLPbF  
Base  
common  
cathode  
Note  
*
This datasheet provides information about parts that are  
RoHS-compliant and / or parts that are non-RoHS-compliant. For  
example, parts with lead (Pb) terminations are not RoHS-compliant.  
Please see the information / tables in this datasheet for details.  
1
3
Anode  
2
Anode  
1
D-61-8-SL  
DESCRIPTION  
The center tap Schottky rectifier module series has been  
optimized for low reverse leakage at high temperature. The  
proprietary barrier technology allows for reliable operation  
up to 175 °C junction temperature. Typical applications are  
in switching power supplies, converters, freewheeling  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
D-61  
2 x 40 A  
80 V, 100 V  
0.81  
IF(AV)  
VR  
diodes, and reverse battery protection.  
VF at IF  
I
RM max.  
35 mA at 125 °C  
175 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
15 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
80  
UNITS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
Rectangular waveform  
A
V
80, 100  
7000  
tp = 5 μs sine  
A
40 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.67  
V
TJ  
-55 to +175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-83CNQ080APbF  
VS-83CNQ100APbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
80  
100  
V
VRWM  
Revision: 17-Jun-15  
Document Number: 94259  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS848X MICROSEMI

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4
VS-85CNQ015A VISHAY

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VS-85CNQ015ASLPBF VISHAY

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VS-85CNQ015ASM VISHAY

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