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VS-85EPF12

更新时间： 2024-02-09 14:22:13
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管局域网软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
8页 238K
描述
Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 85A

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VS-85EPF12 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-X1
针数：1Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：FAST SOFT RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.36 V
JESD-30 代码：R-PSFM-X1JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：1250 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：150 °C最大输出电流：85 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向恢复时间：0.48 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

VS-85EPF12 数据手册

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VS-85EPF12 Soft Recovery Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 85 A  
FEATURES  
• 150 °C max. operating junction temperature  
• Output rectification and freewheeling in  
inverters, choppers and converters  
Cathode  
Anode  
• Input rectifications where severe restrictions  
on conducted EMI should be met  
• Screw mounting only  
PowerTab®  
• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47  
• PowerTab® package  
PRODUCT SUMMARY  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
Package  
PowerTab®  
IF(AV)  
85 A  
1200 V  
1.36 V  
110 A  
DESCRIPTION  
VR  
The VS-85EPF12 fast soft recovery rectifier series has been  
optimized for combined short reverse recovery time and low  
forward voltage drop.  
The glass passivation ensures stable reliable operation in  
the most severe temperature and power cycling conditions.  
Available in the new PowerTab® package, this new series is  
suitable for a large range of applications combining  
excellent die to footprint ratio and sturdeness connectivity  
for use in high current environments.  
VF at IF  
IFSM  
trr  
95 ns  
TJ max.  
Diode variation  
Snap factor  
150 °C  
Single die  
0.5  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
IF(RMS)  
VRRM  
IFSM  
VF  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
85  
UNITS  
Rect. conduction 50 % duty cycle at TC = 85 °C  
A
160  
Range  
1200  
110  
V
A
100 A, TJ = 25 °C  
1 A, - 100 A/μs  
Range  
1.4  
V
trr  
95  
ns  
°C  
TJ  
- 40 to 150  
VOLTAGE RATINGS  
TYPE NUMBER  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
V
RSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-85EPF12  
1200  
1300  
15  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TC = 85 °C, 180° conduction half sine wave  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
VALUES  
85  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
1100  
1250  
5000  
7000  
70 000  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
Maximum I2t for fusing  
Maximum I2t for fusing  
Revision: 17-Jun-11  
I2t  
A2s  
I2t  
A2s  
Document Number: 93159  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-85EPF12HM4 VISHAY

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 		Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 85 A
VS-85EPF12-M4 VISHAY

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 		Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 85 A
VS-85HF VISHAY

获取价格

 		Standard Recovery Diodes, (Stud Version), 85 A
VS-85HF(R) 40M8 VISHAY

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 		Standard Recovery Diodes, (Stud Version), 85 A
VS-85HF10 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 85A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN
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