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VS848X

更新时间: 2024-11-07 20:08:55
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4

VS848X 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:S-PUFM-W4
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.75外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.6 V
JESD-30 代码:S-PUFM-W4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:35 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:135 °C最低工作温度:-50 °C
最大输出电流:2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:800 V
最大反向恢复时间:0.2 µs子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

VS848X 数据手册

 浏览型号VS848X的Datasheet PDF文件第2页 

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