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VS-12TQ040STRL-M3

更新时间： 2024-11-10 14:12:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 205K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-12TQ040STRL-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：5.69其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.71 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：40 V最大反向电流：1750 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

VS-12TQ040STRL-M3 数据手册

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VS-12TQ035S-M3, VS-12TQ040S-M3, VS-12TQ045S-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 15 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
2
• 150 °C TJ operation  
• Very low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High  
purity,  
high  
temperature  
epoxy  
2
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
1
3
1
3
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
N/C  
Anode  
D2PAK (TO-263AB)  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 245 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
15 A  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VR  
35 V, 40 V, 45 V  
0.50 V  
VF at IF  
RM max.  
I
70 mA at 125 °C  
150 °C  
DESCRIPTION  
TJ max.  
EAS  
The VS-12TQ...S-M3 Schottky rectifier series has been  
optimized for very low forward voltage drop, with moderate  
leakage. The proprietary barrier technology allows for  
reliable operation up to 150 °C junction temperature. Typical  
applications are in switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, and reverse battery protection.  
16 mJ  
D2PAK (TO-263AB)  
Package  
Circuit configuration  
Single  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
15  
UNITS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
Rectangular waveform  
A
V
Range  
35 to 45  
990  
tp = 5 μs sine  
15 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
A
0.50  
V
TJ  
-55 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-12TQ035S-M3  
35  
VS-12TQ040S-M3  
VS-12TQ045S-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
40  
45  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 120 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
15  
990  
250  
16  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
IFSM  
EAS  
IAR  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
Non-repetitive avalanche energy  
TJ = 25 °C, IAS = 2.4 A, L = 5.5 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
Repetitive avalanche current  
2.4  
Revision: 27-Oct-17  
Document Number: 94925  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, iodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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