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VP2210ND

更新时间: 2023-03-15 00:00:00
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超科 - SUPERTEX 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 198K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3

VP2210ND 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIE包装说明:UNCASED CHIP, S-XUUC-N3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.91
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏源导通电阻:0.9 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):40 pFJESD-30 代码:S-XUUC-N3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

VP2210ND 数据手册

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