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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 240 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF | JEDEC-95代码： | TO-226AA |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VP2410LTR | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| VP2410LTR | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| VP2450 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| VP2450 | MICROCHIP |
获取价格 |
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS st |
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| VP2450N3 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| VP2450N3-G | MICROCHIP |
获取价格 |
暂无描述 |
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| VP2450N3-G | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 500V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| VP2450N3-GP002 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| VP2450N3-GP003 | SUPERTEX |
获取价格 |
SMALL SIGNAL, FET |
|
| VP2450N3-GP005 | SUPERTEX |
获取价格 |
SMALL SIGNAL, FET |
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