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VP0109N3

更新时间： 2024-02-17 20:52:26

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描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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VP0109N3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	GREEN PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	7 weeks
风险等级：	1.23	其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	90 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.25 A	最大漏极电流 (ID)：	0.25 A
最大漏源导通电阻：	8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	8 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

VP0109N3 数据手册

VP0104/VP0106/VP0109

Typical Performance Curves

BV_DSSVariation with Temperature

On-Resistance vs. Drain Current

1.10

= -5V

1.06

1.02

0.98

0.94

0.90

= -10V

-50

100

150

-50

-0.3

-0.6

-0.9

-1.2

-1.5

I_D(amperes)

T_j(°C)

Transfer Characteristics

= -55°C

V_(th)and R_DSVariation with Temperature

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

@ -10V, -0.5A

@ -5V, 0.1A

= -25V

DS(ON)

= 25°C

DS(ON)

@ -1.0mA

(th)

= 125°C

-2

-4

-6

-8

-10

100

150

V_GS(volts)

T_j(°C)

Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage

f = 1MHz

Gate Drive Dynamic Characteristics

100

-10

-8

-6

-4

-2

V_DS= -10V

70 pF

V_DS

= -40V

70 pF

C_ISS

C_OSS

45pF

C_RSS

-10

-20

-30

-40

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Q_G(nanocoulombs)

V_DS(volts)

07/08/02

1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089

TEL: (408) 744-0100 • FAX: (408) 222-4895

www.supertex.com

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