5秒后页面跳转
VP0109ND PDF预览

VP0109ND

更新时间: 2024-01-18 23:24:26
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 90K
描述
P-Channel Enhancement-Mode

VP0109ND 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:DIE-2Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.79其他特性:HIGH INPUT IMPEDANCE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:90 V
最大漏极电流 (ID):0.25 A最大漏源导通电阻:8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):8 pF
JESD-30 代码:S-XUUC-N2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

VP0109ND 数据手册

  

与VP0109ND相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
VP0109ND(VF01) SUPERTEX Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 90V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

获取价格

VP0109ND(VF15) SUPERTEX Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 90V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

获取价格

VP010PN5 NJSEMI P-Channel Enhancement-Mode

获取价格

VP0116N2 SUPERTEX Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

获取价格

VP0116N3 SUPERTEX Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

获取价格

VP0116N3P001 SUPERTEX Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

获取价格