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VP0109N3

更新时间： 2024-01-26 00:58:03

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超科 - SUPERTEX		/
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4页	48K
描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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VP0109N3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	GREEN PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	7 weeks
风险等级：	1.23	其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	90 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.25 A	最大漏极电流 (ID)：	0.25 A
最大漏源导通电阻：	8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	8 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

VP0109N3 数据手册

VP0104/VP0106/VP0109

Typical Performance Curves

Output Characteristics

Saturation Characteristics

-2.0

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

= -10V

-1.6

= -10V

-8V

-1.2

-0.8

-0.4

-8V

-6V

-4V

-40

-4V

-8

-10

-20

-30

-50

-1.0

-100

-2

-4

-6

-10

V_DS(volts)

Transconductance vs. Drain Current

Power Dissipation vs. Case Temperature

250

200

150

100

2.0

1.0

V_DS= -25V

T = -55°C

= 25°C

= 125°C

TO-92

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

100

125

150

I_D(amperes)

T_C(°C)

Maximum Rated Safe Operating Area

Thermal Response Characteristics

-10

-1.0

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

TO-92(DC)

-0.1

TO-92

= 1W

= 25°C

-0.01

-0.1

-1.0

-10

0.001

0.01

0.1

V_DS(volts)

t_p(seconds)

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VP0109N3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VP0109N3-G	SUPERTEX	完全替代	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

与VP0109N3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VP0109N3-G	SUPERTEX	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP0109N3-GP002	SUPERTEX	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP0109N3-GP003	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
VP0109N3-GP003	SUPERTEX	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP0109N3-GP005	SUPERTEX	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP0109N3-GP013	SUPERTEX	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP0109N3-GP014	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
VP0109N3-GP014	SUPERTEX	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP0109N3P001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 90V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP0109N3P006	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 90V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta