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VP0109N5

更新时间： 2024-02-06 07:25:21

品牌	Logo	应用领域
超科 - SUPERTEX		局域网输入元件开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	37K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 90V, 8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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VP0109N5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	90 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	8 pF	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	功耗环境最大值：	15 W
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.2 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	17 ns
最大开启时间（吨）：	16 ns	Base Number Matches：	1

VP0109N5 数据手册

VP0104

VP0106

VP0109

P-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

Order Number / Package

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D(ON)

BV_DGS

-40V

-60V

-90V

(max)

(min)

TO-39

—

TO-52

—

TO-92

TO-220

—

Quad C-DIP*

Die^†

8.0Ω

-0.5A

VP0104N3

VP0106N3

VP0104N7 VP0104ND

VP0106N7 VP0106ND

—

VP0109N2 VP0109N9 VP0109N3 VP0109N5

—

VP0109ND

* 14 pin side brazed ceramic DIP

†

MIL visual screening available

Advanced DMOS Technology

High Reliability Devices

These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a

vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces devices with

the power handling capabilities of bipolar transistors and with the

high input impedance and positive temperature coefficient inher-

ent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these

devices are free from thermal runaway and thermally-induced

secondary breakdown.

See pages 5-4 and 5-5 for MILITARY STANDARD Process

Flows and Ordering Information.

Features

■ Free from secondary breakdown

■ Low power drive requirement

■ Ease of paralleling

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast

switching speeds are desired.

■ Low C_ISSand fast switching speeds

■ Excellent thermal stability

■ Integral Source-Drain diode

■ High input impedance and high gain

■ Complementary N- and P-channel devices

Package Options

Applications

■ Motor controls

■ Converters

■ Amplifiers

■ Switches

■ Power supply circuits

14-Lead DIP

TO-220

■ Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps, memories,

TAB: DRAIN

displays, bipolar transistors, etc.)

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

BV_DSS

Drain-to-Gate Voltage

BV_DGS

± 20V

S G D

TO-52

TO-39

Case: DRAIN

Gate-to-Source Voltage

TO-92

Case: DRAIN

Operating and Storage Temperature

-55°C to +150°C

300°C

Note 1: See Package Outline section for dimensions.

Note 2: See Array section for quad pinouts.

Soldering Temperature*

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

7-219

12 3 4

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与VP0109N5相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
VP0109N9	NJSEMI	P-Channel Enhancement-Mode	获取价格
VP0109ND	SUPERTEX	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
VP0109ND	NJSEMI	P-Channel Enhancement-Mode	获取价格
VP0109ND(VF01)	SUPERTEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 90V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
VP0109ND(VF15)	SUPERTEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 90V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
VP010PN5	NJSEMI	P-Channel Enhancement-Mode	获取价格

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