是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.68 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 90 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.25 A | 最大漏源导通电阻: | 8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 8 pF |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 1 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
VP0109N5 | SUPERTEX | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 90V, 8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-ox |
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VP0109N9 | NJSEMI | P-Channel Enhancement-Mode |
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VP0109ND | SUPERTEX | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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VP0109ND | NJSEMI | P-Channel Enhancement-Mode |
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VP0109ND(VF01) | SUPERTEX | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 90V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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VP0109ND(VF15) | SUPERTEX | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 90V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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