VNP14N04

更新时间： 2024-01-26 12:26:59

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路局域网
页数	文件大小	规格书
11页	134K
描述
âOMNIFETâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VNP14N04 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	ISOWATT220-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL	输入特性：	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	功能数量：	1
端子数量：	3	输出特性：	OPEN-DRAIN
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	14 A
输出极性：	TRUE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	技术：	MOS
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
断开时间：	7.5 µs	接通时间：	0.5 µs
Base Number Matches：	1

VNP14N04 数据手册

VNP14N04

ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Symbol

V_DS

V_in

Parameter

Value

Internally Clamped

Unit

Drain-source Voltage (V_in= 0)

Input Voltage

I_D

Drain Current

Internally Limited

-14

I_R

Reverse DC Output Current

Electrostatic Discharge (C= 100 pF, R=1.5 KΩ)

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Operating Junction Temperature

Case Operating Temperature

Storage Temperature

V_esd

P_tot

T_j

2000

^oC

Internally Limited

-55 to 150

T_c

T_{st g}

THERMAL DATA

R_thj-caseThermal Resistance Junction-case

R_thj-ambThermal Resistance Junction-ambient

Max

2.5

62.5

^oC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_case= 25 ^oC unless otherwise specified)

OFF

Symbol

Parameter

Test Conditions

I_D= 200 mA V_in= 0

Min.

Typ.

Max.

Unit

V_CLAMP

Drain-source Clamp

Voltage

V_CLTH

V_INCL

I_DSS

Drain-source Clamp

Threshold Voltage

I_D= 2 mA V_in= 0

I_in= -1 mA

-1

Input-Source Reverse

Clamp Voltage

-0.3

Zero Input Voltage

Drain Current (V_in= 0) V_DS= 25 V V_in= 0

V_DS= 13 V V_in= 0

200

µA

I_ISS

Supply Current from

Input Pin

V_DS= 0 V V_in= 10 V

250

500

µA

ON ( )

Symbol

Parameter

Test Conditions

V_DS= V_inI_D+ Ii_n= 1 mA

Min.

Typ.

Max.

Unit

V_IN(th)

Input Threshold

Voltage

0.8

R_DS(on)

Static Drain-source On V_in= 10 V I_D= 7 A

0.07

0.1

Ω

Resistance

V_in= 5 V

I_D= 7 A

DYNAMIC

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

g_fs( )

Forward

V_DS= 13 V

I_D= 7 A

Transconductance

C_oss

Output Capacitance

V_DS= 13 V f = 1 MHz V_in= 0

400

500

2/11

123 4 5 6 7...11

下载PDF

与VNP14N04相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
VNP14N04FI	STMICROELECTRONICS	”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET	获取价格
VNP14NV04	STMICROELECTRONICS	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE	获取价格
VNP14NV04-1	STMICROELECTRONICS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,12A I(D),TO-251AA	获取价格
VNP20N07	STMICROELECTRONICS	”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET	获取价格
VNP20N07-E	STMICROELECTRONICS	OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET	获取价格
VNP20N07FI	STMICROELECTRONICS	”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET	获取价格