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VNP7N04-E

更新时间： 2024-09-24 21:06:55

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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11页	360K
描述
OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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VNP7N04-E 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	31 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

VNP7N04-E 数据手册

VNP7N04

"OMNIFET":

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

TYPE

V_clamp

R_DS(on)

I_lim

VNP7N04

42 V

0.14 Ω

7 A

■

LINEAR CURRENT LIMITATION

THERMAL SHUT DOWN

SHORT CIRCUIT PROTECTION

INTEGRATED CLAMP

LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN

DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT

■

ESD PROTECTION

DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE

POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)

COMPATIBLE WITH STANDARD POWER

MOSFET

TO-220

■

STANDARD TO-220 PACKAGE

DESCRIPTION

tation and overvoltage clamp protect the chip

in harsh enviroments.

Fault feedback can be detected by monitoring the

voltage at the input pin.

The VNP7N04 is a monolithic device made using

STMicroelectronics VIPower M0 Technology,

intended for replacement of standard power

MOSFETS in DC to 50 KHz applications.

Built-in thermal shut-down, linear current limi-

BLOCK DIAGRAM

1/11

September 2013

12 3 4 5 6 7...11

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