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VNP35NV04-E

更新时间： 2024-01-08 23:33:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路局域网
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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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VNP35NV04-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-220, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	6.48
Is Samacsys：	N	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-XSFM-T3
功能数量：	1	端子数量：	3
输出电流流向：	SINK	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	标称供电电压：	5 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VNP35NV04-E 数据手册

VNB35NV04 / VNP35NV04

/ VNV35NV04 / VNW35NV04

“OMNIFET II”:

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

TYPE

clamp

DS(on)

lim

VNB35NV04

VNP35NV04

VNV35NV04

VNW35NV04

10 mΩ (*)

30 A

40 V

PowerSO-10™

D PAK

(*) For PowerSO-10 only

LINEAR CURRENT LIMITATION

THERMAL SHUT DOWN

SHORT CIRCUIT PROTECTION

INTEGRATED CLAMP

LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN

DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT

TO-220

TO-247

ORDER CODES:

VNB35NV04

VNP35NV04

VNV35NV04

VNW35NV04

D PAK

TO-220

PowerSO-10™

TO-247

ESD PROTECTION

DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE

POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)

intended for replacement of standard Power

MOSFETS from DC up to 25KHz applications.

Built in thermal shutdown, linear current limitation

and overvoltage clamp protect the chip in harsh

environments. Fault feedback can be detected by

monitoring the voltage at the input pin.

COMPATIBLE WITH STANDARD POWER

MOSFET

DESCRIPTION

The VNB35NV04, VNP35NV04, VNV35NV04,

VNW35NV04 are monolithic devices designed in

STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology,

BLOCK DIAGRAM

DRAIN

Overvoltage

Clamp

INPUT

Gate

Control

Linear

Current

Limiter

Over

Temperature

SOURCE

FC01000

July 2003

1/19

12 3 4 5 6 7...19

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