VNP28N04FI

更新时间： 2024-02-01 22:02:21

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描述
”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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VNP28N04FI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	ISOWATT220-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
内置保护：	OVER CURRENT; THERMAL; ZENER CLAMP	输入特性：	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	功能数量：	1
端子数量：	3	输出特性：	OPEN-DRAIN
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	28 A
输出极性：	TRUE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	技术：	MOS
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
断开时间：	10 µs	接通时间：	0.7 µs
Base Number Matches：	1

VNP28N04FI 数据手册

VNP28N04FI

VNB28N04/VNV28N04

”OMNIFET”:

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

TYPE

V_clamp

R_DS(on)

I_lim

VNP28N04FI

VNB28N04

VNV28N04

42 V

0.035 Ω

28 A

■

LINEAR CURRENT LIMITATION

THERMAL SHUT DOWN

SHORT CIRCUIT PROTECTION

INTEGRATED CLAMP

LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN

DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT

ISOWATT220

■

ESD PROTECTION

DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE

POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)

COMPATIBLE WITH STANDARD POWER

MOSFET

■

D2PAK

TO-263

PowerSO-10

DESCRIPTION

The VNP28N04FI, VNB28N04 and VNV28N04

are

monolithic

devices

made

using

STMicroelectronics VIPower M0 Technology,

intended for replacement of standard power

MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in

thermal shut-down, linear current limitation and

overvoltage clamp protect the chip in harsh

enviroments.

Fault feedback can be detected by monitoring the

voltage at the input pin.

BLOCK DIAGRAM ( )

( ) PowerSO-10 Pin Configuration : INPUT = 6,7,8,9,10; SOURCE = 1,2,4,5; DRAIN = TAB

June 1998

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