VNP35N07FI

更新时间： 2024-02-26 05:52:34

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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描述
”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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VNP35N07FI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-XSFM-T3	JESD-609代码：	e3
功能数量：	1	端子数量：	3
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	35 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	16 µs
接通时间：	800 µs	Base Number Matches：	1

VNP35N07FI 数据手册

VNP35N07FI

VNB35N07/VNV35N07

”OMNIFET”:

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

TYPE

V_clamp

R_DS(on)

I_lim

VNP35N07FI

VNB35N07

VNV35N07

70 V

0.028 Ω

35 A

■

LINEAR CURRENT LIMITATION

THERMAL SHUT DOWN

SHORT CIRCUIT PROTECTION

INTEGRATED CLAMP

LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN

DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT

ISOWATT220

■

ESD PROTECTION

DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE

POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)

COMPATIBLE WITH STANDARD POWER

MOSFET

■

D2PAK

TO-263

PowerSO-10

DESCRIPTION

The VNP35N07FI, VNB35N07 and VNV35N07

are

monolithic

devices

made

using

STMicroelectronics VIPower M0 Technology,

intended for replacement of standard power

MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in

thermal shut-down, linear current limitation and

overvoltage clamp protect the chip in harsh

enviroments.

Fault feedback can be detected by monitoring the

voltage at the input pin.

BLOCK DIAGRAM ( )

( ) PowerSO-10 Pin Configuration : INPUT = 6,7,8,9,10; SOURCE = 1,2,4,5; DRAIN = TAB

June 1998

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