5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> VNN7NV04
VNN7NV04 PDF预览

VNN7NV04

更新时间： 2024-02-08 01:42:38
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 接口集成电路光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
29页 489K
描述
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

阅读下载

获取价格

VNN7NV04 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT-223包装说明：SOP,
针数：5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：20 weeks风险等级：1.7
Is Samacsys：N内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e3长度：6.5 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：5输出电流流向：SINK
标称输出峰值电流：9 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.8 mm
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：2.3 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：16 µs接通时间：2.3 µs
宽度：3.5 mmBase Number Matches：1

VNN7NV04 数据手册

 浏览型号VNN7NV04的Datasheet PDF文件第1页浏览型号VNN7NV04的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VNN7NV04的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VNN7NV04的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VNN7NV04的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VNN7NV04的Datasheet PDF文件第7页 
VNN7NV04 / VNS7NV04 / VND7NV04 / VND7NV04-1  
THERMAL DATA  
Symbol  
Value  
Parameter  
Unit  
SOT-223  
SO-8  
DPAK  
IPAK  
R
Thermal Resistance Junction-case}}} MAX  
Thermal Resistance Junction-lead MAX  
Thermal Resistance Junction-ambient MAX  
18  
2.1  
2.1  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
thj-case  
R
R
27  
thj-lead  
thj-amb  
96 (*)  
90 (*)  
65 (*)  
102  
2
(*) When mounted on a standard single-sided FR4 board with 0.5cm of Cu (at least 35 µm thick) connected to all DRAIN pins.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (-40°C < Tj < 150°C, unless otherwise specified)  
OFF  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
=0V; I =3.5A  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Drain-source Clamp  
Voltage  
V
V
40  
45  
55  
V
CLAMP  
IN  
D
Drain-source Clamp  
Threshold Voltage  
V
V
V
V
I
=0V; I =2mA  
36  
V
V
CLTH  
IN  
D
V
Input Threshold Voltage  
=V ; I =1mA  
0.5  
2.5  
INTH  
DS  
DS  
IN  
D
Supply Current from Input  
Pin  
I
=0V; V =5V  
100  
6.8  
150  
µA  
ISS  
IN  
=1mA  
6
8
Input-Source Clamp  
Voltage  
IN  
V
V
INCL  
I
=-1mA  
-1.0  
-0.3  
30  
IN  
V
V
=13V; V =0V; T =25°C  
Zero Input Voltage Drain  
DS  
DS  
IN  
j
I
µA  
DSS  
Current (V =0V)  
=25V; V =0V  
75  
IN  
IN  
ON  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
=5V; I =3.5A; T=25°C  
Min  
Typ  
Max  
60  
Unit  
V
V
Static Drain-source On  
Resistance  
IN  
D
j
R
mΩ  
DS(on)  
=5V; I =3.5A  
120  
IN  
D
3/29  
1
1234567...29

下载PDF

与VNN7NV04相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
VNN7NV04_10 STMICROELECTRONICS OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

获取价格
VNN7NV0413TR STMICROELECTRONICS “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE

获取价格
VNN7NV04P-E STMICROELECTRONICS OMNIFET II - 全自动保护功率MOSFET

获取价格
VNN7NV04PTR-E STMICROELECTRONICS OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

获取价格
VNP10N06 STMICROELECTRONICS ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

获取价格
VNP10N06FI STMICROELECTRONICS ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

获取价格

与VNN7NV04相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证