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VNN7NV04

更新时间: 2024-02-20 11:33:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 接口集成电路光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
29页 489K
描述
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

VNN7NV04 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SOT-223包装说明:SOP,
针数:5Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
Factory Lead Time:20 weeks风险等级:1.7
Is Samacsys:N内置保护:TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码:R-PDSO-G5
JESD-609代码:e3长度:6.5 mm
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:5输出电流流向:SINK
标称输出峰值电流:9 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.8 mm
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子节距:2.3 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:16 µs接通时间:2.3 µs
宽度:3.5 mmBase Number Matches:1

VNN7NV04 数据手册

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VNN7NV04 / VNS7NV04 / VND7NV04 / VND7NV04-1  
Figure 1: Switching Time Test Circuit for Resistive Load  
ID  
90%  
10%  
tf  
tr  
t
td(on)  
td(off)  
Vgen  
t
Figure 2: Test Circuit for Diode Recovery Times  
A
A
B
D
I
FAST  
DIODE  
L=100uH  
OMNIFET  
S
B
150Ω  
D
S
V
DD  
R
gen  
I
OMNIFET  
V
gen  
8.5 Ω  
6/29  
1

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