5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > VFT10200C-E3/4W
VFT10200C-E3/4W PDF预览

VFT10200C-E3/4W

更新时间： 2024-11-15 21:14:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
6页 160K
描述
DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN, Rectifier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

VFT10200C-E3/4W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.74
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.73 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VFT10200C-E3/4W 数据手册

 浏览型号VFT10200C-E3/4W的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VFT10200C-E3/4W的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VFT10200C-E3/4W的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VFT10200C-E3/4W的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VFT10200C-E3/4W的Datasheet PDF文件第6页 
VT10200C-E3, VFT10200C-E3, VBT10200C-E3, VIT10200C-E3  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A  
FEATURES  
TMBS®  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Trench MOS Schottky technology  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
(for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)  
3
3
2
2
1
1
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VT10200C  
VFT10200C  
PIN 1  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
PIN 3  
PIN 3  
TYPICAL APPLICATIONS  
TO-263AB  
TO-262AA  
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC  
converters and reverse battery protection.  
K
K
MECHANICAL DATA  
2
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and TO-262AA  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
3
1
2
1
VBT10200C  
VIT10200C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 1  
PIN 2  
K
HEATSINK  
PIN 3  
Polarity: As marked  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
IF(AV)  
2 x 5.0 A  
200 V  
VRRM  
IFSM  
80 A  
VF at IF = 5.0 A  
TJ max.  
0.65 V  
150 °C  
TO-220AB, ITO-220AB,  
TO-263AB, TO-262AA  
Package  
Diode variations  
Common cathode  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL VT10200C VFT10200C VBT10200C VIT10200C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
EAS  
200  
10.0  
5.0  
V
per device  
per diode  
Maximum average forward rectified current  
(fig. 1)  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
80  
30  
A
Non-repetitive avalanche energy  
at TJ = 25 °C, L = 60 mH per diode  
mJ  
Peak repetitive reverse current  
IRRM  
dV/dt  
VAC  
0.5  
10 000  
A
V/μs  
V
at tp = 2 μs, 1 kHz, TJ = 38 °C 2 °C per diode  
Voltage rate of change (rated VR)  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
1500  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +150  
°C  
Revision: 09-Dec-16  
Document Number: 89177  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

中文翻译

下载PDF

与VFT10200C-E3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VFT10200C-E3-4W VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT1045 VISHAY

获取价格

 		Low Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A
VFT1045BP VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VFT1045BP_15 VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VFT1045BP-M3/4W VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VFT1045C VISHAY

获取价格

 		Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT1045CBP VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VFT1045CBP_1205 VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT1045CBP_15 VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT1045CBP-M3/4W VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

与VFT10200C-E3/4W相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证