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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | PLASTIC, SMD, 4 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.60.00.60 | 风险等级： | 5.64 |
| 其他特性： | TAPE AND REEL | 老化： | 5 PPM/YEAR |
| 晶体/谐振器类型： | SERIES - 3RD OVERTONE | 驱动电平： | 100 µW |
| 频率稳定性： | 0.01% | 频率容差： | 50 ppm |
| 安装特点： | SURFACE MOUNT | 标称工作频率： | 70 MHz |
| 最高工作温度： | 60 °C | 最低工作温度： | -10 °C |
| 物理尺寸： | L12.9XB4.4XH5.0 (mm)/L0.508XB0.173XH0.197 (inch) | 串联电阻： | 100 Ω |
| 表面贴装： | YES | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VFSMC-3-3J12E0-TR-FREQ | CTS |
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Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 30MHz Min, 70MHz Max, PLASTIC, SMD, 4 PIN |
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| VFSMC-3-3J12E10-TR-70.000 | CTS |
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Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 70MHz Nom, PLASTIC, SMD, 4 PIN |
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| VFSMC-3-3J12E10-TR-FREQ | CTS |
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Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 30MHz Min, 70MHz Max, PLASTIC, SMD, 4 PIN |
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| VFSMO-SERIES | ETC |
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Peripheral IC |
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| VFT1015 | NXP |
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RF/Microwave Isolator/Circulator, 1930 MHz - 1990 MHz RF/MICROWAVE ISOLATOR |
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| VFT10200C | VISHAY |
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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| VFT10200C-E3/4W | VISHAY |
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DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, |
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| VFT10200C-E3-4W | VISHAY |
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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| VFT1045 | VISHAY |
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Low Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A |
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| VFT1045BP | VISHAY |
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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection |
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