VBE26-12NO7

更新时间： 2024-09-15 08:14:19

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IXYS		整流二极管桥式整流二极管局域网快速恢复二极管
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描述
ECO-PAC TM Single Phase Rectifier Bridge WITH FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE (FRED)

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VBE26-12NO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PUFM-P4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.73 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-P4
最大非重复峰值正向电流：	90 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	32 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
最大反向恢复时间：	0.04 µs	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VBE26-12NO7 数据手册

VBE 26-12NO7

ECO-PAC ^TM

Single Phase Rectifier Bridge

with Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED)

I_dAV= 32 A

V_RRM= 1200 V

t_rr

= 40 ns

V_RSM

V_RRM

Typ

1200

VBE 26-12NO7

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

Features

• Package with DCB ceramic

base plate in low profile

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• Leads suitable for PC board soldering

I_dAV

I_dAVM

①

T_C= 85°C, module

I_FSM

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

100

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

Applications

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

A²s

• Supplies for DC power equipment

• Input and output rectifiers for high

frequency

• Battery DC power supplies

• Field supply for DC motors

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

A²s

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

Advantages

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL£ 1 mA t = 1 s

3000

3600

• Small and light weight

• Low noise switching

M_d

Weight

Mounting torque (M4)

typ.

1.5-2/14-18 Nm/lb.in.

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Symbol

I_R

Conditions

Characteristic Values

typ.

max.

V_R= V_RRM

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

0.1 mA

0.5 mA

V_F

I_F= 15 A

T_VJ= 25°C

2.73

V_T0

r_T

for power-loss calculations only

1.32

30 mW

R_thJC

R_thCH

per diode; DC current

per diode, DC current, typ.

1.6 K/W

0.3 K/W

I_RM

t_rr

I_F= 25 A, -diF/dt = 100 A/µs

V_R= 100 V, L = 0.05 mH, T_VJ= 100°C

I_F= 1 A; -di/dt = 100 A/µs; V_R= 30 V, T_VJ= 25°C

9.7

tbd ns

d_S

d_A

Max. allowable acceleration

creeping distance on surface

creepage distance in air

11.2

9.7

m/s²

Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated

① for resistive load at bridge output.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VBE55-06NO7	IXYS	获取价格	ECO-PAC Single Phase Rectifier Bridge WITH FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODES (FRED)
VBE55-06NO7	LITTELFUSE	获取价格	快速单相桥系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。利用HiPerFRED芯片实现极快
VBE55-12NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 59A, 1200V V(RRM), Silicon, ECOPAC-4
VBE55-12NO7	LITTELFUSE	获取价格	快速单相桥系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。利用HiPerFRED芯片实现极快
VBE60-06A	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge with Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED)
VBE60-06A	LITTELFUSE	获取价格	快速单相桥系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。利用HiPerFRED芯片实现极快
VBE60-12A	LITTELFUSE	获取价格	快速单相桥系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。利用HiPerFRED芯片实现极快
VBED10	CUI	获取价格	DC-DC Converter
VBED10-D12-D12	CUI	获取价格	DC-DC Converter
VBED10-D12-D15	CUI	获取价格	DC-DC Converter

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