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VBE60-06A

更新时间： 2024-11-23 22:16:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
Single Phase Rectifier Bridge with Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED)

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VBE60-06A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PUFM-X4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：2.29
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PUFM-X4最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最大输出电流：60 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VBE60-06A 数据手册

 浏览型号VBE60-06A的Datasheet PDF文件第2页 
Advanced Technical Information  
VBE 60-06A  
IdAV = 60 A  
VRRM = 600 V  
trr = 35 ns  
Single Phase Rectifier Bridge  
with Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED)  
+
miniBLOC, SOT-227 B  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
+
~
~
~
600  
600  
VBE 60-06A  
–
~
–
Symbol  
IFRMS  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
• International standard package miniBLOC  
• Isolation voltage 2500 V~  
• singlePhaseRectifierBridgewithFREDs  
• Planar passivated chips  
70  
60  
A
A
IdAV  
①
rect., d = 0.5; TC = 90°C  
IFSM  
I2t  
TVJ = 45°C; VR = 0;  
250  
315  
A
A2s  
tp = 10 ms (50 Hz), sine  
• Very short recovery time  
• Extremely low switching losses  
• Low IRM-values  
• Soft recovery behaviour  
EAS  
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 1.3 A; L = 180 µH  
0.2  
mJ  
IAR  
VA = 1.5·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.1  
A
Applications  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
• Supplies for DC power equipment  
• Input and output rectifiers for high  
frequency  
• Battery DC power supplies  
• Field supply for DC motors  
Ptot  
TC = 25°C  
140  
W
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
IISOL ≤ 1 mA  
2500  
V~  
Advantages  
Md  
mounting torque (M4)  
terminal connection torque (M4)  
1.1-1.5/9-13  
1.1-1.5/9-13  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
• Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
Weight  
typical  
30  
g
• Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
• Low IRM reduces:  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating switch  
Symbol  
Conditions  
Characteristic max. Values  
IR  
②
VR = VRRM; TVJ = 25°C  
VR = VRRM; TVJ = 125°C  
0.15  
1
mA  
mA  
Dimensions see Outlines.pdf  
VF  
③
IF = 30 A;  
TVJ = 125°C  
TVJ = 25°C  
1.26  
1.54  
V
V
RthJC  
RthCH  
1.15  
typ. 0.1  
K/W  
K/W  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 200 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
typ. 35  
ns  
IRM  
VR = 100 V; IF = 50 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
typ. 5.5  
A
Pulse test: ① for resistive load at bridge output.  
② Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
③ Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
IXYS reserves the right to change limits, Conditions and dimensions.  
© 2003 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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