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V8P10HG3/87A

更新时间： 2024-01-28 13:08:36

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		PC 功效瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	105K
描述
DIODE 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifier Diode

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V8P10HG3/87A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-277
包装说明：	R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.24
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, HIGH RELIABILITY	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.62 V	JEDEC-95代码：	TO-277A
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

V8P10HG3/87A 数据手册

New Product

V8P10

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V = 0.466 V at I = 4 A

FEATURES

TMBS^®eSMP^TMSeries

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

• Ideal for automated placement

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power

losses

• High efficiency operation

• “Green” molding compound (GMC)

TO-277A (SMPC)

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 260 °C

Anode 1

Anode 2

Cathode

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

PRIMARY CHARACTERISTICS

MECHANICAL DATA

Case: TO-277A (SMPC)

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

8 A

100 V

150 A

Molding compound meets UL 94V-0 flammability

rating.

E_AS

100 mJ

0.582 V

150 °C

“G” vs. “E” suffix defines molding as none green, “E”,

or green molding compound (GMC) “G”.

_Fat I_F= 8 A

T_Jmax.

“G” is defined as halogen-free (HF) and antimony-free

molding compound.

TYPICAL APPLICATIONS

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 and G3 suffix for consumer grade, meets JESD 201

class 1A whisker test, HE3 and HG3 suffix for

high reliability grade (AEC Q101 qualified), meets

JESD 201 class 2 whisker test

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, dc-to-dc converters and polarity

protection applications.

Note:

• There is no industry standard for definition of HF, or GMC for

components.

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V8P10

V810

100

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

150

Non-repetitive avalanche energy

at I_AS= 2.0 A, T_J= 25 °C

E_AS

_J,T_STG

100

°C

Operating junction and storage temperature range

- 40 to + 150

Document Number: 89005

Revision: 26-May-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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V8P10HM3_A/I	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN
V8P10HM3-86A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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