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V8P10HM3/86A

更新时间： 2024-01-08 09:51:52

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威世 - VISHAY		/
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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V8P10HM3/86A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-277
包装说明：	R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.38
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.62 V	JEDEC-95代码：	TO-277A
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

V8P10HM3/86A 数据手册

New Product

V8P10

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V = 0.466 V at I = 4 A

FEATURES

TMBS^®eSMP^TMSeries

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

• Ideal for automated placement

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power

losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 260 °C

TO-277A (SMPC)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Anode 1

Anode 2

Cathode

• Halogen-free

MECHANICAL DATA

Case: TO-277A (SMPC)

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

8.0 A

100 V

150 A

Molding compound meets UL 94V-0 flammability

rating.

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/

automotive grade (AEC-Q101 qualified)

Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,

commercial grade

E_AS

100 mJ

0.582 V

150 °C

_Fat I_F= 8 A

T_Jmax.

Base P/NHM3 - halogen-free and RoHS compliant,

high reliability/automotive grade (AEC-Q101 qualified)

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker

test, HE3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2

whisker test

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, dc-to-dc converters and polarity

protection applications.

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V8P10

V810

100

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

8.0

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

150

Non-repetitive avalanche energy

at I_AS= 2.0 A, T_J= 25 °C

E_AS

_J,T_STG

100

°C

Operating junction and storage temperature range

- 40 to + 150

Document Number: 89005

Revision: 30-Jul-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V8P10HM3/87A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V8P10HM3_A/I	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN
V8P10HM3-86A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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