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V8P12-M3/87A

更新时间： 2024-02-25 17:37:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		PC 功效光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	95K
描述
DIODE 8 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMPC, 3 PIN, Rectifier Diode

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V8P12-M3/87A 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-277
包装说明：	R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.41
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.71 V	JEDEC-95代码：	TO-277A
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	最大非重复峰值正向电流：	140 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	120 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

V8P12-M3/87A 数据手册

V8P12

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.53 V at I_F= 4 A

FEATURES

TMBS^®eSMP^®Series

Available

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

• Ideal for automated placement

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code; base P/NHM3

TO-277A (SMPC)

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

Anode 1

Anode 2

Cathode

MECHANICAL DATA

PRIMARY CHARACTERISTICS

Case: TO-277A (SMPC)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

I_F(AV)

8.0 A

120 V

V_RRM

Base P/N-M3

halogen-free, RoHS-compliant, and

I_FSM

140 A

commercial grade

E_AS

100 mJ

0.63 V

150 °C

Base P/NHM3

- halogen-free, RoHS-compliant and

V_Fat I_F= 8.0 A

T_Jmax.

AEC-Q101 qualified

Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant and

AEC-Q101 qualified 

(“_X” denotes revision code e.g. A, B,.....)

Package

TO-277A (SMPC)

Single die

Diode variations

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HM3 suffix

meets JESD 201 class 2 whisker test



TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, DC/DC converters and polarity protection

applications.

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V8P12

V812

120

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

8.0

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

140

Non-repetitive avalanche energy at I_AS= 2.0 A, T_J= 25 °C

E_AS

100

0.5

Peak repetitive reverse current at t_p= 2 μs, 1 kHz, T_J= 38 °C 2 °C

I_RRM

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-40 to +150

°C

Revision: 16-Dec-14

Document Number: 89170

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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V8P15	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount TMBSÂ® (Tr
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