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V53C16126HT30

更新时间： 2024-09-12 23:41:47
品牌 Logo 应用领域
MOSEL 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 139K
描述
DRAM|FAST PAGE|128KX16|CMOS|TSOP|44PIN|PLASTIC

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V53C16126HT30 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP40/44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：30 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G40
长度：18.41 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：40字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP40/44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：512
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.2 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

V53C16126HT30 数据手册

 浏览型号V53C16126HT30的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V53C16126HT30的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V53C16126HT30的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V53C16126HT30的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V53C16126HT30的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V53C16126HT30的Datasheet PDF文件第7页 
V53C16126H  
MO SEL VITELIC  
HIGH PERFORMANCE  
128K X 16 BIT FAST PAGE MODE  
CMOS DYNAMIC RAM  
HIGH PERFORMANCE  
30  
35  
40  
45  
50  
Max. RAS Access Time, (t  
)
30 ns  
16 ns  
19 ns  
65 ns  
35 ns  
18 ns  
21 ns  
70 ns  
40 ns  
20 ns  
23 ns  
75 ns  
45 ns  
22 ns  
25 ns  
80 ns  
50 ns  
24 ns  
28 ns  
90 ns  
RAC  
Max. Column Address Access Time, (t  
)
CAA  
Min. Fast Page Mode Cycle Time, (t  
)
PC  
Min. Read/Write Cycle Time, (t  
)
RC  
Features  
Description  
■ 128K x 16-bit organization  
■ Fast Page Mode for a sustained data rate  
of 53 MHz  
■ RAS access time: 30, 35, 40, 45, 50ns  
■ Dual CAS Inputs  
■ Low Power Dissipation  
■ Read-Modify-Write, RAS-Only Refresh,  
CAS-Before-RAS Refresh  
■ Refresh Interval: 512 cycles/8 ms  
■ Available in 40-pin 400 mil SOJ and 40/44L-pin  
400 mil TSOP-II packages  
The V53C16126H is a 131,072 x 16 bit high  
performance CMOS dynamic random access  
memory. The V53C16126H offers Fast Page mode  
with dual CAS inputs. The V53C16126H has  
asymmetric address, 9-bit row and 8-bit column.  
All inputs are TTL compatible. Fast Page Mode  
operation allows random access up to 256 x 16  
bits, within a page, with cycle times as short as  
19ns.  
The V53C16126H is ideally suited for a wide  
variety of high performance computer systems and  
peripheral applications.  
■ Single +5V±10% Power Supply  
■ TTL Interface  
Device Usage Chart  
Operating  
Temperature  
Range  
Package Outline  
Access Time (ns)  
Power  
Temperature  
Mark  
K
T
30  
35  
40  
45  
50  
Std.  
0°C to 70°C  
•
•
•
•
•
•
•
•
Blank  
V53C16126H Rev. 1.3 February 1998  
1
1234567...18

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与V53C16126HT30相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V53C16126HT35 ETC

获取价格

 		x16 Fast Page Mode DRAM
V53C16126HT40 MOSEL

获取价格

 		DRAM|FAST PAGE|128KX16|CMOS|TSOP|44PIN|PLASTIC
V53C16126HT45 ETC

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 		x16 Fast Page Mode DRAM
V53C16126HT50 MOSEL

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 		DRAM|FAST PAGE|128KX16|CMOS|TSOP|44PIN|PLASTIC
V53C16129H MOSEL

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 		HIGH PERFORMANCE 128K X 16 BIT FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
V53C16129LK60 ETC

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 		x16 EDO Page Mode DRAM
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 		256K x 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
V53C16256H MOSEL

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 		256K x 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
V53C16256SH MOSEL

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 		256K X 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM WITH SELF REFRESH

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