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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.57 | 最大控制电压： | 10 V |
| 最小控制电压： | 3 V | 调制灵敏度： | 24 MHz/V |
| 安装特点： | SURFACE MOUNT | 偏移频率： | 1 kHz |
| 最大工作频率： | 1514 MHz | 最小工作频率： | 1480 MHz |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 振荡器类型： | VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR | 输出功率： | 11 dBm |
| 相位噪声： | -73 dBc/Hz | 物理尺寸： | 23.114mm x 23.114mm x 5.588mm |
| 功率变化： | 2 dB | 标称供电电压： | 12 V |
| 表面贴装： | YES | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V50100P | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V50100P_08 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A |
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| V50100P-E3 | VISHAY |
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DIODE 25 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, LEAD FREE, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN, R |
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| V50100P-E3/45 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A |
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| V50100PW | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V50100PW_15 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifiernull |
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| V50100PW-M3-4W | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V50-14.45M | INFINEON |
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Clamping force: 4.5kN / Disc diameter: 42mm / Height: 14mm / Min. creeping distance: 11mm |
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| V50-14.45N | INFINEON |
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Clamping force: 4.5kN / Disc diameter: 42mm / Height: 14mm / Min. creeping distance: 11mm |
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| V50-14.60M | INFINEON |
获取价格 |
Clamping force: 6.0kN / Disc diameter: 42mm / Height: 14mm / Min. creeping distance: 11mm |
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