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V50100P-E3 PDF预览

V50100P-E3

更新时间： 2024-11-09 15:56:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 355K
描述
DIODE 25 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, LEAD FREE, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN, Rectifier Diode

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V50100P-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AD
包装说明：R-PSFM-T3针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.45
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-20 °C最大输出电流：25 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：250
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

V50100P-E3 数据手册

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V50100P  
Vishay General Semiconductor  
New Product  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.372 V at I = 5 A  
F
F
TO-247AD (TO-3P)  
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
2 x 25 A  
VRRM  
100 V  
3
IFSM  
250 A  
2
1
VF at IF = 20 A  
TJ max.  
0.64 V  
150 °C  
PIN 2  
CASE  
PIN 1  
PIN 3  
Features  
Mechanical Data  
• Trench MOS Schottky Technology  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
Case: TO-247AD (TO-3P)  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade  
• Low thermal resistance  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs Maximum  
Typical Applications  
For use in high frequency inverters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, Oring diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
Maximum Ratings  
(TA = 25 °C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
V50100P  
100  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
RMS reverse voltage for sine wave  
DC blocking voltage  
VRMS  
VR  
70  
V
V
A
100  
Maximum average forward rectified current  
(see Fig. 1)  
per device  
per leg  
IF(AV)  
50  
25  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
per leg  
IFSM  
IRRM  
250  
1.0  
A
A
Peak repetitive reverse current per leg  
at tp = 2 µs, 1 kHz  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 20 to + 150  
°C  
Document Number 88929  
01-Dec-05  
www.vishay.com  
1
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与V50100P-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V50100P-E3/45 VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A
V50100PW VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V50100PW_15 VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifiernull
V50100PW-M3-4W VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V50-14.45M INFINEON

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 		Clamping force: 4.5kN / Disc diameter: 42mm / Height: 14mm / Min. creeping distance: 11mm
V50-14.45N INFINEON

获取价格

 		Clamping force: 4.5kN / Disc diameter: 42mm / Height: 14mm / Min. creeping distance: 11mm
V50-14.60M INFINEON

获取价格

 		Clamping force: 6.0kN / Disc diameter: 42mm / Height: 14mm / Min. creeping distance: 11mm
V50-14.60N INFINEON

获取价格

 		Clamping force: 6.0kN / Disc diameter: 42mm / Height: 14mm / Min. creeping distance: 11mm
V501-FREQ CONNOR-WINFIELD

获取价格

 		PECL Output Clock Oscillator, 65MHz Min, 200MHz Max
V501ME01 ZCOMM

获取价格

 		Voltage Controlled Oscillator, 1074MHz Min, 1442MHz Max

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