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V23990-P768-CY-PM

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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20页	7183K
描述
Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current

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V23990-P768-CY-PM

datasheet

Inverter Switch Characteristics

figure 1.

IGBT

figure 2.

IGBT

Typical output characteristics

I_C= f(V_CE

)

I_C= f(V_CE)

150

V_GE

7 V

8 V

125

100

125

100

9 V

10 V

11 V

12 V

13 V

14 V

15 V

16 V

17 V

_CE(V)

V_CE(V)

t_p

250

μs

250

150

μs

°C

25 °C

V_GE

T_j=

125 °C

150 °C

T_j:

V_GEfrom 7 V to 17 V in steps of 1 V

figure 3.

IGBT

figure 4.

IGBT

Typical transfer characteristics

Transient thermal impedance as a function of pulse width

I_C= f(V_GE

)

Z_th(j-s)= f(t_p)

-1

-2

0,5

0,2

0,1

-3

0,05

0,02

0,01

0,005

-4

-5

-4

-3

-2

-1

0,0

2,5

5,0

7,5

10,0

12,5

t_p(s)

_GE(V)

t_p

250

μs

D =

t_p/ T

0,545

25 °C

V_CE

125 °C

150 °C

R_th(j-s)=

T_j:

K/W

IGBT thermal model values

R (K/W)

τ (s)

8,76E-02

1,41E-01

2,51E-01

3,49E-02

3,12E-02

9,10E-01

1,40E-01

3,71E-02

7,85E-03

9,56E-04

08 Sep. 2021 / Revision 3

1...4 5 678 9 10...20

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