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UZVN3310F

更新时间： 2024-09-16 15:56:27
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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UZVN3310F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.14配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：0.1 A
最大漏源导通电阻：10 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

UZVN3310F 数据手册

 浏览型号UZVN3310F的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ZVN3310F  
ISSUE 3 – OCTOBER 1995  
✪
FEATURES  
*
*
100 Volt VDS  
RDS(on)= 10Ω  
S
D
G
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAIL -  
ZVP3310F  
MF  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
100  
100  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
mA  
A
IDM  
2
Gate-Source Voltage  
VGS  
V
± 20  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
330  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Drain-Source  
Breakdown Voltage  
BVDSS  
100  
V
ID=1mA, VGS=0V  
Gate-Source Threshold  
Voltage  
VGS(th)  
0.8  
2.4  
20  
V
ID=1mA, VDS= VGS  
Gate-Body Leakage  
IGSS  
IDSS  
nA  
V
GS=± 20V, VDS=0V  
Zero Gate Voltage  
Drain Current  
1
50  
V
V
DS=100V, VGS=0  
DS=80V, VGS=0V, T=125°C(2)  
µA  
µA  
On-State Drain Current(1)  
ID(on)  
500  
100  
mA  
VDS=25V, VGS=10V  
VGS=10V, ID=500mA  
Static Drain-Source On-State  
Resistance (1)  
RDS(on)  
10  
Ω
Forward Transconductance  
(1)(2)  
gfs  
mS  
VDS=25V, ID=500mA  
Input Capacitance (2)  
Ciss  
40  
15  
pF  
pF  
Common Source  
Output Capacitance (2)  
Coss  
VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer Capacitance Crss  
(2)  
5
pF  
Turn-On Delay Time (2)(3)  
Rise Time (2)(3)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
3 typ  
5 typ  
4 typ  
5 typ  
5
7
6
7
ns  
ns  
ns  
ns  
V
DD ≈25V, ID=500mA  
Turn-Off Delay Time (2)(3)  
Fall Time (2)(3)  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.  
(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator  
3 - 396  
12

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